casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR411H00A
codice articolo del costruttore | UNR411H00A |
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Numero di parte futuro | FT-UNR411H00A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR411H00A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | NS-B1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR411H00A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR411H00A-FT |
UNR5213G0L
Panasonic Electronic Components
UNR521400L
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UNR521500L
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UNR521600L
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UNR521700L
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UNR5217G0L
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UNR521900L
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UNR5219G0L
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UNR521D00L
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LCMXO2-4000HE-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU15P-1FFVE1517E
Xilinx Inc.
XC2S300E-6PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
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A54SX16A-PQG208
Microsemi Corporation
A3PN250-1VQ100I
Microsemi Corporation
5CGXFC9D6F27I7N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
5SGSMD5H2F35I3L
Intel
LCMXO2-2000HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation