casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR411F00A
codice articolo del costruttore | UNR411F00A |
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Numero di parte futuro | FT-UNR411F00A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR411F00A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | NS-B1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR411F00A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR411F00A-FT |
UNR521300L
Panasonic Electronic Components
UNR5213G0L
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UNR521400L
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UNR521500L
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UNR521600L
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UNR521700L
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UNR5217G0L
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UNR5218G0L
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UNR521900L
Panasonic Electronic Components
UNR5219G0L
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XC5206-6PQ100C
Xilinx Inc.
XC3SD3400A-5FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C70F672C8N
Intel
10CX150YF672I6G
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EQC240-2X
Intel