casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR41160RA
codice articolo del costruttore | UNR41160RA |
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Numero di parte futuro | FT-UNR41160RA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR41160RA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | NS-B1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR41160RA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR41160RA-FT |
UNR521100L
Panasonic Electronic Components
UNR5211G0L
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UNR521200L
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UNR5212G0L
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UNR521300L
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UNR5213G0L
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UNR521400L
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UNR521500L
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UNR521600L
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UNR521700L
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XC3S1600E-4FGG400I
Xilinx Inc.
XC3S400-4FT256I
Xilinx Inc.
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQ208
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5SGXEA4K2F40C3N
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5SGXEB6R2F43C2LN
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A54SX32A-1TQG100I
Microsemi Corporation
LFEC33E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50SE-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation