casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR32A300L
codice articolo del costruttore | UNR32A300L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR32A300L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR32A300L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32A300L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR32A300L-FT |
UNR221V00L
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UNR222100L
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UNR222200L
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EX64-TQG64I
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XCVU080-2FFVD1517I
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A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
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A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
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5SGXMB5R2F43C2LN
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XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
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5AGXFA7H4F35C4N
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