casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMC5NQ-7
codice articolo del costruttore | UMC5NQ-7 |
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Numero di parte futuro | FT-UMC5NQ-7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UMC5NQ-7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 290mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-353 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMC5NQ-7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMC5NQ-7-FT |
BCR119SH6327XTSA1
Infineon Technologies
BCR119SH6433XTMA1
Infineon Technologies
BCR129SE6327HTSA1
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BCR133SB6327XT
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BCR135SH6327XTSA1
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XC4010XL-1PQ100C
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XC7A50T-1FG484C
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A42MX16-1PQ208I
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LFE2M70E-6F1152I
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LCMXO2-256ZE-2SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX15BN11C8N
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XC7K410T-1FFG900I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-L1CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-3N
Intel