casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / UMA3NTR
codice articolo del costruttore | UMA3NTR |
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Numero di parte futuro | FT-UMA3NTR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UMA3NTR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT5 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UMA3NTR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UMA3NTR-FT |
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A3P125-1TQ144
Microsemi Corporation
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XC6SLX100-2FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
5SEE9H40I2LN
Intel
EP2SGX60EF1152C5N
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XC6VLX195T-L1FF784I
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XC6VLX75T-L1FFG784C
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XC6VHX250T-2FFG1154I
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5AGXBB7D4F35C5N
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