casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2801A
codice articolo del costruttore | ULN2801A |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2801A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2801A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 8 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
Potenza - Max | 2.25W |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 18-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 18-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2801A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2801A-FT |
BC817DSF
Nexperia USA Inc.
BC847DS,115
Nexperia USA Inc.
BCM53DSX
Nexperia USA Inc.
BCM56DSF
Nexperia USA Inc.
BCM56DSX
Nexperia USA Inc.
BCM856DS,115
Nexperia USA Inc.
BCM857DS,135
Nexperia USA Inc.
PBSS4140DPNF
Nexperia USA Inc.
PBSS4160DSZ
Nexperia USA Inc.
PIMT1,115
Nexperia USA Inc.
EPF10K30ETC144-1N
Intel
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX75T-3FGG676C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-FCSG325I
Microsemi Corporation
A54SX08-2VQ100
Microsemi Corporation
10M04DAF256A7G
Intel
5SGXEB5R2F43I3LN
Intel
XC4VFX60-10FF672C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HC-4MG132I
Lattice Semiconductor Corporation