casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2002AN
codice articolo del costruttore | ULN2002AN |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2002AN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2002AN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -20°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2002AN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2002AN-FT |
DMG204A00R
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DMG204B00R
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DMG204B10R
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XN0440100L
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XN0450500L
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EX64-TQ64I
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A54SX08A-TQG144I
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A54SX32A-TQG144I
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XC6SLX16-3FT256C
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M1AFS600-2FG256
Microsemi Corporation
5CGXFC4C6F27I7N
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EP4CGX75CF23C6
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5SGXEBBR3H43I4N
Intel
XC2VP7-5FFG672C
Xilinx Inc.
AGL125V5-FGG144
Microsemi Corporation