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codice articolo del costruttore | UHE1H272MHD |
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Numero di parte futuro | FT-UHE1H272MHD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UHE |
UHE1H272MHD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 2700µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 10000 Hrs @ 105°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Polarizzazione | Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | General Purpose |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | 3.04A @ 120Hz |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | 3.8A @ 100kHz |
Impedenza | 14 mOhms |
Lead Spacing | 0.295" (7.50mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.709" Dia (18.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.575" (40.00mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UHE1H272MHD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UHE1H272MHD-FT |
UHE1V122MHD6
Nichicon
UHE1V331MPD1TD
Nichicon
UHE1A103MHD
Nichicon
UHE1H271MPD
Nichicon
UHE1V222MHD6
Nichicon
UHE2A820MPD
Nichicon
UHE1E681MPD
Nichicon
UHE1V221MPD6TD
Nichicon
UHE0J183MHD
Nichicon
UHE1E332MHD
Nichicon
LCMXO640E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000L-4FGG320C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA150-FG256A
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-3N
Intel
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
A3P1000-1FGG144I
Microsemi Corporation
10AX115N3F40I2SGE2
Intel
EP1S40F1508C7N
Intel