casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGF8JCTHE3/45
codice articolo del costruttore | UGF8JCTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGF8JCTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGF8JCTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 4A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 4A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGF8JCTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGF8JCTHE3/45-FT |
MBR25H60CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR25H60CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3035CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3045CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3045CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7A75T-1FTG256C
Xilinx Inc.
XC2S50E-6FTG256I
Xilinx Inc.
XC3S1000-5FG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-PQG240M
Microsemi Corporation
A3P125-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP3C10F256C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C4N
Intel
A42MX16-FPQG160
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMB1G4F35I5N
Intel