casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGE0221AY4
codice articolo del costruttore | UGE0221AY4 |
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Numero di parte futuro | FT-UGE0221AY4 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGE0221AY4 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 4800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10.2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 4.8V @ 30A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2mA @ 4800V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | UGE |
Pacchetto dispositivo fornitore | UGE |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGE0221AY4 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGE0221AY4-FT |
D1301SH45TXPSA1
Infineon Technologies
D1331SH45TXPSA1
Infineon Technologies
D1381S45TXPSA1
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D1461S45TXPSA1
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D1481N58T
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D1481N65TVFXPSA1
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D1481N68TXPSA1
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D1821SH45TPRXPSA1
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D1961SH45TXPSA1
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D2201N45TXPSA1
Infineon Technologies
EP20K30ETC144-2
Intel
XC2V6000-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC4020XL-2PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-FG484
Microsemi Corporation
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
A3PE600-1PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R3F40I4N
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5SGXMBBR3H43C2LN
Intel
LCMXO3LF-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40I1SG
Intel