casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGB18BCT-E3/81
codice articolo del costruttore | UGB18BCT-E3/81 |
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Numero di parte futuro | FT-UGB18BCT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB18BCT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB18BCT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB18BCT-E3/81-FT |
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H60CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H90CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
LFE2-12E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-2PLG68
Microsemi Corporation
A3P030-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL50F484I4N
Intel
5SGSMD4E2H29C2L
Intel
5SGXMA7K2F35I3LN
Intel
A1010B-2PL44C
Microsemi Corporation
LFEC15E-4FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD3H2F35C3N
Intel