casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UGB18ACT-E3/81
codice articolo del costruttore | UGB18ACT-E3/81 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UGB18ACT-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB18ACT-E3/81 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB18ACT-E3/81 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB18ACT-E3/81-FT |
MBRB3045CTTRL
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB3045CTTRR
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H100CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H35CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H45CTHE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB30H50CT-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG144A
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
APA075-PQ208A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-6QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A200T-1SBG484C
Xilinx Inc.
LFEC3E-5QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C7N
Intel
EPF10K50EQC208-3
Intel