casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / UG6KB80TB
codice articolo del costruttore | UG6KB80TB |
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Numero di parte futuro | FT-UG6KB80TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG6KB80TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3K |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG6KB80TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG6KB80TB-FT |
KBP410G
Diodes Incorporated
KBL401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL403G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL602G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL603G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL604G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU801G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2-256HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN125V2-CSG81
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC9D6F27C7N
Intel
5AGZME7K2F40I3LN
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
XC7V2000T-1FLG1925I
Xilinx Inc.
XC7K355T-2FFG901C
Xilinx Inc.
A40MX04-1PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation