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codice articolo del costruttore | UG6KB80TB |
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Numero di parte futuro | FT-UG6KB80TB |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG6KB80TB Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 6A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-ESIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | D3K |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG6KB80TB Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG6KB80TB-FT |
KBP410G
Diodes Incorporated
KBL401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL403G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL602G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL603G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBL604G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU401G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU601G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
KBU801G T0
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX4-3TQG144I
Xilinx Inc.
A1225A-PQ100C
Microsemi Corporation
XC4005-5PQ208C
Xilinx Inc.
AFS600-2FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMB6R3F43C2LN
Intel
EP3SE110F1152C3N
Intel
XC2VP30-5FFG1152I
Xilinx Inc.
EPF8636ALC84-4N
Intel
EP4SGX230HF35I4N
Intel