casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UG1B-M3/54
codice articolo del costruttore | UG1B-M3/54 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UG1B-M3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG1B-M3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG1B-M3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG1B-M3/54-FT |
1N4937E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4937E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5391-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5391-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5392-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5393-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5393-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5394-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5395-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5396-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel