casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UG18BCT-E3/45
codice articolo del costruttore | UG18BCT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UG18BCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG18BCT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 18A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 9A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG18BCT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG18BCT-E3/45-FT |
MBR20H100CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTGHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H200CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H35CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H45CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H45CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H60CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PN125-ZVQG100
Microsemi Corporation
AGLN060V2-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4H2F35C2N
Intel
XC7VX550T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
A42MX09-FTQ176
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F35C4N
Intel
EPF6016BI256-3
Intel