casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UG10GCT-E3/45
codice articolo del costruttore | UG10GCT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UG10GCT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG10GCT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG10GCT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG10GCT-E3/45-FT |
MBR2050CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2060CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2060CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CT/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTG-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTGHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H100CTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H150CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR20H200CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel