casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UG06DHR0G
codice articolo del costruttore | UG06DHR0G |
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Numero di parte futuro | FT-UG06DHR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UG06DHR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 600mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 600mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 15ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 9pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | T-18, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-1 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG06DHR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG06DHR0G-FT |
SK20H45 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1502HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR1503HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A3PE600-2FGG484
Microsemi Corporation
LFE2M70E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F484C6N
Intel
EP20K30EFC144-3
Intel
5CGXFC4F6M11C6N
Intel
XC4010XL-3BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP7-5FF672I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-3FFG1156C
Xilinx Inc.
LFE2M20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780C4
Intel