casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF5GD1-13
codice articolo del costruttore | UF5GD1-13 |
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Numero di parte futuro | FT-UF5GD1-13 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UF5GD1-13 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 45ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 61pF @ 10V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252, (D-Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF5GD1-13 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF5GD1-13-FT |
D1131SH65TXPSA1
Infineon Technologies
D1251S45TXPSA1
Infineon Technologies
D1301SH45TXPSA1
Infineon Technologies
D1331SH45TXPSA1
Infineon Technologies
D1381S45TXPSA1
Infineon Technologies
D1461S45TXPSA1
Infineon Technologies
D1481N58T
Infineon Technologies
D1481N65TVFXPSA1
Infineon Technologies
D1481N68TXPSA1
Infineon Technologies
D1821SH45TPRXPSA1
Infineon Technologies
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel