casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF4001HR0G
codice articolo del costruttore | UF4001HR0G |
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Numero di parte futuro | FT-UF4001HR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UF4001HR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF4001HR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF4001HR0G-FT |
1N4936G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5818 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5818HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5819HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel