casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF1KHR0G
codice articolo del costruttore | UF1KHR0G |
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Numero di parte futuro | FT-UF1KHR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UF1KHR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1KHR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF1KHR0G-FT |
1N4934G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4934GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4935G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4935GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4936GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4937GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N5817HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel