casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF1DHR0G
codice articolo del costruttore | UF1DHR0G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-UF1DHR0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UF1DHR0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1DHR0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF1DHR0G-FT |
1N4006G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4006GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4007GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4933G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4933GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4934G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4934GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4935G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
1N4935GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel