casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF1007-M3/73
codice articolo del costruttore | UF1007-M3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-UF1007-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UF1007-M3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | - |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1007-M3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF1007-M3/73-FT |
GP10K-4006HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-4007HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4002E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4002E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4002E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4003-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4003E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel