casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF1007-M3/54
codice articolo del costruttore | UF1007-M3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-UF1007-M3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UF1007-M3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1007-M3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF1007-M3/54-FT |
GP10J-4005HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10K-4006HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-4007HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4002E-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4002E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4002E-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4003-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel