casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF1006-E3/73
codice articolo del costruttore | UF1006-E3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-UF1006-E3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UF1006-E3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1006-E3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF1006-E3/73-FT |
BYD33MGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10B-4002EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10B-4002HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-4003HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-4004HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-4005HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10K-4006HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-4007HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001E-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel