casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF1006-E3/54
codice articolo del costruttore | UF1006-E3/54 |
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Numero di parte futuro | FT-UF1006-E3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UF1006-E3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 10pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 180°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF1006-E3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF1006-E3/54-FT |
BYD33KGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYD33MGPHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10B-4002EHE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10B-4002HE3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10D-4003HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10G-4004HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10J-4005HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10K-4006HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10M-4007HE3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4001-E3/53
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-2XA
Intel
5SGXMA7N2F45C2
Intel
M1AGL600V5-FG144I
Microsemi Corporation
LFXP3E-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-5BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6
Intel
EP1C12F324C8
Intel
EPF6024AQC208-3
Intel