casa / prodotti / condensatori / Condensatori elettrolitici in alluminio / UES1H4R7MEM1TD
codice articolo del costruttore | UES1H4R7MEM1TD |
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Numero di parte futuro | FT-UES1H4R7MEM1TD |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UES |
UES1H4R7MEM1TD Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Capacità | 4.7µF |
Tolleranza | ±20% |
Tensione: nominale | 50V |
ESR (Equivalent Series Resistance) | - |
Lifetime @ Temp. | 1000 Hrs @ 85°C |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Polarizzazione | Bi-Polar |
Giudizi | - |
applicazioni | Audio |
Corrente di ondulazione @ Bassa frequenza | - |
Corrente di ondulazione @ alta frequenza | - |
Impedenza | - |
Lead Spacing | 0.098" (2.50mm) |
Dimensione / Dimensione | 0.248" Dia (6.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.492" (12.50mm) |
Dimensione del terreno di montaggio superficiale | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Radial, Can |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1H4R7MEM1TD Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UES1H4R7MEM1TD-FT |
UFG1H0R1MDM
Nichicon
UFG1H4R7MDM
Nichicon
UFG1H010MDM
Nichicon
UFG2A0R1MDM
Nichicon
UFG2AR47MDM
Nichicon
UFG1HR33MDM
Nichicon
UFG1C330MDM1TD
Nichicon
UFG1H100MDM1TD
Nichicon
UFG1H2R2MDM1TD
Nichicon
UFG2A010MDM1TD
Nichicon
EPF10K30ATC144-2N
Intel
XCKU040-2FBVA900E
Xilinx Inc.
XC3S1000L-4FGG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005-1VF400
Microsemi Corporation
A3P060-1VQG100T
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30AQI240-3N
Intel