casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UC3611N
codice articolo del costruttore | UC3611N |
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Numero di parte futuro | FT-UC3611N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UC3611N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 4 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 3A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 20ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 40V |
Temperatura operativa - Giunzione | -0°C ~ 70°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UC3611N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UC3611N-FT |
BAV99UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAW56UE6433HTMA1
Infineon Technologies
FC903-TR-E
ON Semiconductor
IMN11T110
Rohm Semiconductor
IMP11T110
Rohm Semiconductor
MAS3132EGL
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DA37102D0L
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DA37103E0L
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Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
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5CEBA2F17C7N
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XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
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10AX032E1F27I1HG
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EP20K200EQI208-3
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