casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - JFET / U291-E3
codice articolo del costruttore | U291-E3 |
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Numero di parte futuro | FT-U291-E3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
U291-E3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tensione - Guasto (V (BR) GSS) | 30V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
Corrente - Scarico (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 200mA @ 10V |
Scarico corrente (Id) - max | - |
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 1.5V @ 3nA |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 0V |
Resistenza - RDS (On) | 7 Ohms |
Potenza - Max | 500mW |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-206AC, TO-52-3 Metal Can |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-206AC (TO-52) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
U291-E3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | U291-E3-FT |
2N5547JTXL01
Vishay Siliconix
2N5547JTXV01
Vishay Siliconix
2N6660JAN02
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2SJ01640RA
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2SK2394-7-FRD-TB-E
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2SK596S-A
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2SK596S-B
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2SK715U
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2SK715U-AC
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LCMXO2-4000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX72A-FG484
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AGLN250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F672C6
Intel
EP3CLS70F484I7N
Intel
EP4CE6F17C8LN
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EP4SGX360FH29C3
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M1AGL1000V2-CSG281
Microsemi Corporation
EP3SL110F780C3N
Intel
10AX027E2F29E1SG
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