casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / TZX8V2D-TAP
codice articolo del costruttore | TZX8V2D-TAP |
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Numero di parte futuro | FT-TZX8V2D-TAP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TZX8V2D-TAP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolleranza | - |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 20 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 6.2V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TZX8V2D-TAP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TZX8V2D-TAP-FT |
BZX55B33-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B3V3-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B3V9-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B4V7-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B56-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B5V1-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B5V6-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B5V6-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B6V2-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55B6V2-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280C-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-SWG16ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
AGL030V2-VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
EP4SGX290KF43C2N
Intel
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation