casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / TZQ5239B-GS18
codice articolo del costruttore | TZQ5239B-GS18 |
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Numero di parte futuro | FT-TZQ5239B-GS18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
TZQ5239B-GS18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 10 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 7V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 200mA |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-80 Variant |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-80 QuadroMELF |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TZQ5239B-GS18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TZQ5239B-GS18-FT |
BZT55B6V2-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B6V8-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B6V8-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B75-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B75-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B7V5-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B7V5-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B8V2-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B9V1-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT55B9V1-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX75-N3FG676C
Xilinx Inc.
XC2S150-6PQG208C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FGG256I
Microsemi Corporation
A3PE600-2PQG208I
Microsemi Corporation
A1415A-1VQ100C
Microsemi Corporation
5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
EP3SE80F1152C4
Intel
M1AFS1500-2FGG676I
Microsemi Corporation
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
LFE2-50E-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation