casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / TYS30156R8M-10
codice articolo del costruttore | TYS30156R8M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-TYS30156R8M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TYS3015 |
TYS30156R8M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 850mA |
Corrente - Saturazione | 850mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 200 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 39MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.067" (1.70mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TYS30156R8M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TYS30156R8M-10-FT |
TYS8040331M-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS80403R3N-10
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TYS6045220M-10
Laird-Signal Integrity Products
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel