casa / prodotti / Induttori, bobine, bobine / Induttori fissi / TYS30106R8M-10
codice articolo del costruttore | TYS30106R8M-10 |
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Numero di parte futuro | FT-TYS30106R8M-10 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TYS3010 |
TYS30106R8M-10 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 6.8µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 660mA |
Corrente - Saturazione | 550mA |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 305 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 42MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.118" L x 0.118" W (3.00mm x 3.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.039" (1.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TYS30106R8M-10 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TYS30106R8M-10-FT |
TYS6028680M-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS60202R2N-10
Laird-Signal Integrity Products
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
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