casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Tiristori - SCR / TXN408GRG
codice articolo del costruttore | TXN408GRG |
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Numero di parte futuro | FT-TXN408GRG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TXN408GRG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Voltaggio - Off State | 400V |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1.5V |
Corrente - Gate Trigger (Igt) (Max) | 25mA |
Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.8V |
Corrente - On State (It (AV)) (Max) | 5A |
Corrente - On State (It (RMS)) (Max) | 8A |
Corrente - Hold (Ih) (Max) | 45mA |
Corrente - Off Stato (max) | 10µA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 80A, 84A |
SCR Type | Standard Recovery |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TXN408GRG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TXN408GRG-FT |
VS-ST1000C18K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C20K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C22K1L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K0L
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ST1000C24K1
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S1500-5FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6N
Intel
EP2AGX45DF25C4
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
LFEC10E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-2100E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel