casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWW5JR56E
codice articolo del costruttore | TWW5JR56E |
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Numero di parte futuro | FT-TWW5JR56E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWW |
TWW5JR56E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 560 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 5W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±400ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW5JR56E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWW5JR56E-FT |
WLCR025FET
Ohmite
WLCR020FET
Ohmite
WLCR015FET
Ohmite
WLCR010FET
Ohmite
WLBR100FET
Ohmite
WLBR050FET
Ohmite
WLBR030FET
Ohmite
WLBR025FET
Ohmite
WLBR020FET
Ohmite
WLBR015FET
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel