casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWW5JR30
codice articolo del costruttore | TWW5JR30 |
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Numero di parte futuro | FT-TWW5JR30 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWW |
TWW5JR30 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 300 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 5W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±400ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW5JR30 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWW5JR30-FT |
WNE100FET
Ohmite
WNER50FET
Ohmite
WHE25KFET
Ohmite
WHE560FET
Ohmite
WHE5K0FET
Ohmite
WNE10RFET
Ohmite
WNE15RFET
Ohmite
WNE1R0FET
Ohmite
WHE10KFET
Ohmite
WHE10RFET
Ohmite
EX64-TQ64
Microsemi Corporation
A3P600-FGG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16E144A7N
Intel
5SEEBH40C4N
Intel
XC6VHX380T-2FF1923CES9945
Xilinx Inc.
XC5VLX110-1FF676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
5SGXMA3H3F35C2N
Intel