casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWW3JR39E
codice articolo del costruttore | TWW3JR39E |
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Numero di parte futuro | FT-TWW3JR39E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWW |
TWW3JR39E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 390 mOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±400ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3JR39E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWW3JR39E-FT |
WND1K0FET
Ohmite
WND250FET
Ohmite
WND560FET
Ohmite
TWW5J1R0E
Ohmite
TWW5J8R2E
Ohmite
TWW5JR30E
Ohmite
TWW5JR10E
Ohmite
TWW5J10RE
Ohmite
TWW5J20RE
Ohmite
TWW5J39RE
Ohmite
A1020B-PQG100I
Microsemi Corporation
XC2V2000-4FGG676I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FG484C
Xilinx Inc.
EP3SE110F1152C2
Intel
XC5VLX110T-2FFG1738I
Xilinx Inc.
XC7VX1140T-G2FLG1930E
Xilinx Inc.
AGL1000V2-CS281I
Microsemi Corporation
LFEC6E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF81500AQC240-2
Intel