casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWW3J5R6E
codice articolo del costruttore | TWW3J5R6E |
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Numero di parte futuro | FT-TWW3J5R6E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWW |
TWW3J5R6E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 5.6 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±400ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWW3J5R6E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWW3J5R6E-FT |
WND2K5FET
Ohmite
WND5R0FET
Ohmite
WNDR10FET
Ohmite
WNDR50FET
Ohmite
WHD15RFET
Ohmite
WHD1K0FET
Ohmite
WHDR10FET
Ohmite
WND15RFET
Ohmite
WND1K0FET
Ohmite
WND250FET
Ohmite
XCV1000E-7FG900I
Xilinx Inc.
A1020B-PLG68C
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484I7N
Intel
XC5VSX50T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7
Intel
EP3C40F780C8N
Intel
EP2S130F780C4N
Intel
EP20K60EQC208-3N
Intel