casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWM5J8K2E
codice articolo del costruttore | TWM5J8K2E |
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Numero di parte futuro | FT-TWM5J8K2E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM5J8K2E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 8.2 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 5W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM5J8K2E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWM5J8K2E-FT |
TWW3JR56E
Ohmite
TWW3JR68E
Ohmite
TWW3JR75E
Ohmite
TWW3JR82E
Ohmite
TWW3JR15E
Ohmite
TWW3J10R
Ohmite
TWW3J15R
Ohmite
TWW3J1R0
Ohmite
TWW3J1R5
Ohmite
TWW3J20R
Ohmite
A3P030-2VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-2X
Intel
5SGSED6K1F40C2N
Intel
EP4CE10E22C8
Intel
EP4S100G5F45I1
Intel
XC6VCX195T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281I
Microsemi Corporation
AGL250V2-FG144I
Microsemi Corporation
10AX115N1F40I1SG
Intel
EP1K30QC208-3
Intel