casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWM3J6K8E
codice articolo del costruttore | TWM3J6K8E |
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Numero di parte futuro | FT-TWM3J6K8E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J6K8E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 6.8 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J6K8E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWM3J6K8E-FT |
TWW3JR20
Ohmite
TWW3JR27
Ohmite
TWW3JR30
Ohmite
TWW3JR33
Ohmite
TWW3JR39
Ohmite
TWW3JR43
Ohmite
TWW3JR47
Ohmite
TWW3JR56
Ohmite
TWW3JR68
Ohmite
TWW3JR75
Ohmite
LCMXO640E-4TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
AX1000-FGG484M
Microsemi Corporation
AFS1500-1FG256
Microsemi Corporation
5SGXEABK2H40C3N
Intel
XC5VLX330-1FFG1760I
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG484C
Xilinx Inc.
LFXP6C-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C4LN
Intel
EP20K1000CB652C9ES
Intel
EPF10K30RI240-4
Intel