casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWM3J430E
codice articolo del costruttore | TWM3J430E |
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Numero di parte futuro | FT-TWM3J430E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J430E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 430 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J430E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWM3J430E-FT |
TWW3J3R0
Ohmite
TWW3J3R3
Ohmite
TWW3J3R9
Ohmite
TWW3J4R3
Ohmite
TWW3J4R7
Ohmite
TWW3J5R6
Ohmite
TWW3J6R8
Ohmite
TWW3J7R5
Ohmite
TWW3J8R2
Ohmite
TWW3JR10
Ohmite
A1010B-VQ80I
Microsemi Corporation
ICE5LP1K-SG48ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K60ETC144-3N
Intel
XC7S25-1FTGB196C
Xilinx Inc.
10M40DAF484I6G
Intel
10M25DAF256C8G
Intel
5SGXEA3K2F40I3L
Intel
5SGXEA4H1F35C2L
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S4F45I3SGE2
Intel