casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWM3J1K0E
codice articolo del costruttore | TWM3J1K0E |
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Numero di parte futuro | FT-TWM3J1K0E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J1K0E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J1K0E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWM3J1K0E-FT |
TWW3JR15E
Ohmite
TWW3J10R
Ohmite
TWW3J15R
Ohmite
TWW3J1R0
Ohmite
TWW3J1R5
Ohmite
TWW3J20R
Ohmite
TWW3J27R
Ohmite
TWW3J2R0
Ohmite
TWW3J2R7
Ohmite
TWW3J30R
Ohmite
LCMXO2-640HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV1600E-8FG900C
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
AT40K05-2DQI
Microchip Technology
10M08SCU169I7G
Intel
10AX048K2F35I2SG
Intel
5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
10AX115U2F45E2SG
Intel