casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM1NB60SCT A3
codice articolo del costruttore | TSM1NB60SCT A3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-TSM1NB60SCT A3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM1NB60SCT A3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.1nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 138pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92 |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM1NB60SCT A3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM1NB60SCT A3-FT |
SPP07N65C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP11N60S5XKSA1
Infineon Technologies
SPP12N50C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP15N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5HKSA1
Infineon Technologies
SPP20N60S5XKSA1
Infineon Technologies
SPP80N06S08NK
Infineon Technologies
SPS02N60C3BKMA1
Infineon Technologies
SPS03N60C3
Infineon Technologies
SPW20N60C3E8177FKSA1
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
Intel
EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
Intel