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Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCR RLG

Name: TSM120N06LCR RLG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM120N06LCR RLG
Price: 0.197664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (523 reviews)

Numero parte MFG: TSM120N06LCR RLG

quantità disponibile: 17990 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.197664

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fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM120N06LCR RLG.pdf

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TSM120N06LCR RLG specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM120N06LCR RLG
Numero di parte futuro	FT-TSM120N06LCR RLG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM120N06LCR RLG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	54A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2116pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	69W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDFN (5x6)
Pacchetto / caso	8-PowerTDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM120N06LCR RLG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM120N06LCR RLG-FT

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