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Taiwan Semiconductor Corporation TSM061NA03CV RGG

Name: TSM061NA03CV RGG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM061NA03CV RGG
Price: 0.384272 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (116 reviews)

Numero parte MFG: TSM061NA03CV RGG

quantità disponibile: 28590 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.384272

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fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM061NA03CV RGG.pdf

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TSM061NA03CV RGG specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM061NA03CV RGG
Numero di parte futuro	FT-TSM061NA03CV RGG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM061NA03CV RGG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	66A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.1 mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	19.3nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1136pF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	44.6W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDFN (3x3)
Pacchetto / caso	8-PowerWDFN
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM061NA03CV RGG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM061NA03CV RGG-FT

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