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codice articolo del costruttore | TSI10L200CW C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSI10L200CW C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSI10L200CW C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 900mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSI10L200CW C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSI10L200CW C0G-FT |
VSKC320-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKC320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-06S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-10S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-14S20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-25S30
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel