casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / TSI10H100CW C0G
codice articolo del costruttore | TSI10H100CW C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSI10H100CW C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSI10H100CW C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 690mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 100V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSI10H100CW C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSI10H100CW C0G-FT |
VSKC320-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-06S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-10S10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-14S20
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKCL240-25S30
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSKD250-20
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
APA750-PQ208I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C3N
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC5VFX70T-1FFG1136CES
Xilinx Inc.
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45CU17C6N
Intel
5AGXBA7D4F35C4N
Intel
EP20K200BC356-2
Intel