casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / TS20P06G D2G
codice articolo del costruttore | TS20P06G D2G |
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Numero di parte futuro | FT-TS20P06G D2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TS20P06G D2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 20A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 20A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP, TS-6P |
Pacchetto dispositivo fornitore | TS-6P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TS20P06G D2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TS20P06G D2G-FT |
TS15P02GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P02GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P03G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P03G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P03GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P03GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P04G C2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P04G D2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P04GHC2G
Taiwan Semiconductor Corporation
TS15P04GHD2G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC6SLX9-N3FT256I
Xilinx Inc.
XCV400-6FG676C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25U256I7N
Intel
5SGXMBBR2H43C2N
Intel
LFE3-70E-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel