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codice articolo del costruttore | TRS12N65D,S1F |
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Numero di parte futuro | FT-TRS12N65D,S1F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TRS12N65D,S1F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 6A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 6A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 90µA @ 650V |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TRS12N65D,S1F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TRS12N65D,S1F-FT |
SS10P3CLHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS10P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS6P4C-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1517I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FGG256
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40I2L
Intel
5AGXMA5D4F27I3N
Intel
5SGXMA7H3F35C4
Intel
EP3SL340H1152I4
Intel
LFE3-95EA-8FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08SAM153C8G
Intel