casa / prodotti / Protezione del circuito / TVS - Diodi / TPSMB9.1A1BHE3/5BT
codice articolo del costruttore | TPSMB9.1A1BHE3/5BT |
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Numero di parte futuro | FT-TPSMB9.1A1BHE3/5BT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101, PAR® |
TPSMB9.1A1BHE3/5BT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Zener |
Canali unidirezionali | 1 |
Canali bidirezionali | - |
Voltage - Reverse Standoff (Typ) | 7.78V |
Voltage - Breakdown (Min) | 8.65V |
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp | 13.4V |
Corrente - Impulso di picco (10 / 1000μs) | 44.8A |
Potenza - Peak Pulse | 600W |
Protezione della linea di alimentazione | No |
applicazioni | Automotive |
Capacità @ frequenza | - |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 185°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TPSMB9.1A1BHE3/5BT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TPSMB9.1A1BHE3/5BT-FT |
SMB8J5.0CHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J5.0CHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0C-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0C-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CA-E3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CA-E3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CAHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CAHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CHE3/52
Vishay Semiconductor Diodes Division
SMB8J6.0CHE3/5B
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQ144I
Xilinx Inc.
M2GL010-VF400
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C2N
Intel
5SGXMB9R2H43I2N
Intel
5SGXMA3K3F35C3N
Intel
XC6SLX16-N3CSG324C
Xilinx Inc.
APA150-TQ100I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PLG84
Microsemi Corporation
EP2S130F1020C4
Intel